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IBM公布3bit PCM存储芯片 1000万次寿命
苏州数据恢复   2016-05-21 03:49:37 作者:碟科 来源: 文字大小:[][][]

日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上,蓝色巨人IBM苏黎世研究中心的科学家公布了新的存储芯片成果,他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储,而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据可靠。

IBM公布3bit PCM存储芯片 1000万次寿命

PCM存储芯片的研发工作始于上世纪60年代,不过一直没有商业化,主要原因是产品的存储密度和存储成本无法商业化,IBM此次公布的3bit PCM存储方案,可以在原有1bit的单元存储格中存储3bit的数据,存储密度得到显著提升。

同时产品相对于传统的NAND闪存,IBM研发的3bit PCM可以经受住1000万次的数据写入,远高于TLC NAND甚至是SLC NAND产品,二关键的存储速率方面,3bit PCM也非常出色,是NAND闪存的50多倍。

PCM:(Phase-change memory,相变内存),是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成。硫族化物玻璃的特性是,经加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。

IBM公布3bit PCM存储芯片 1000万次寿命
 
 
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