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迎接企业级闪存爆点 看宝存的闪存技术战略
苏州数据恢复   2016-05-19 05:00:13 作者:碟科 来源: 文字大小:[][][]

闪存如今已经不再是一个炒作概念,而是作为一种成熟的技术,受到了越来越多厂商的不断追捧。从严格的字面上解释,闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,那么,闪存真的能带给数据中心一场革命甚至颠覆性的革命?不久前,宝存科技创始人兼CEO阳学仕进行了题为《闪存数据中心的新趋势——3D NAND》主题演讲,真正挖掘和探讨了闪存的未来。

  闪存未来更精彩

  与一般的EEPROM不同的是,闪存是电子可擦涂可编程只读存储器的变种,和EEPROM比起来闪存的速度会更快一些。,而近年来,NAND的制程工艺在不断进步,从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,可以提供更大的容量。但NAND闪存跟处理器不同,它的制程工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,可靠性也越差,3D闪存技术就很好的平衡了这一难题。而这也是宝存一直努力致力于创新的主要方向。

  而企业级客户和数据中心,便是宝存突击的主要领域。从市场上分析,全闪存在数据中心当中使用的非常多,毕竟闪存可以改进现有的虚拟化方式,从而大大提升数据中心基础设施以及硬件设备的利用率,还能够在这样的基础之上降低数据中心的能耗。

  3D NAND撇开了提高制程工艺的想法,转而堆叠更多的NAND层数。这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证。例如,东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2,而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2,48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。于是,宝存推出了自己的首款企业级SATA SSD——Shannon Hyper-IO SATA Flash-S3C,采用SATA 6Gb/s的标准接口,产品随机读写IOPS分别为74000/69000,顺序读写性能高达530MB/s和420MB/s,并且随机读写延迟低至96/27微秒,此外,无论存储多少数据,S3C系列产品始终保持稳定的性能,而且功耗小于3W,该产品在大幅度提升业务性能的同时,降低OPEX。此系列产品还结合了业界领先的NAND管理技术包括优化的FTL算法、垃圾回收、坏块管理以及重读技术。

  面向更多企业级市场

  众所周知,企业级与消费级最大的差别就是要保证资料的完整性和资料的可靠性,还有就是效能的一致性。再者就是闪存的稳定性,以及应用的多样性。目前宝存科技提供的SSD 已经在为阿里巴巴、三大运营商、互联网以及银行等客户的数据加速提供服务。最后宝存科技CEO阳学仕讲到,“当你打开手机,相信80%的人的APP应用系统都与宝存科技提供的SSD有直接或者间接联系。”

  而如今的企业级数据中心在闪存存储的应用方面已经开始变得丰富起来了,其中全闪存、基于闪存缓存技术的磁盘阵列、服务器闪存以及超融合系统等等,都是闪存技术衍生出来的不同应用,在笔者看来,闪存技术在应用方面的多样性是非常强大的,这对于现在很多厂商所倡导的融合设备是具有积极意义的。

  Shannon Hyper-IO SATA Flash-S3C就具有持续性的数据中心保护特点,特有的掉电保护,采用超级电容,增强突发掉电保护。可以保证在掉电发生的瞬间,让最后一笔数据也可以写入闪存中。此系列产品还支持热插拔,易用性方面也得到保证。未来保证异常掉电下缓存在DRAM中数据的完整刷写,解决数据一致性问题,当电源供电被检测降低到一定阈值,板载专用电容元器件会进行放电为数据从DRAM向NAND Flash刷写提供充足的供电时间。防止不正常关机的数据的完整性和安全性。

  Hyper-IO针对闪存对于温度的敏感,实现过热保护机制,实现了高温降速,防止系统过热造成对系统不可恢复的损伤。动态温度调节防止高温加快电路老化,增加NAND的稳定性。这些技术保证了S3C系列产品在每天一次全盘写的情况下,保持长达3年的寿命。

  下一代产品的基石3D NAND,闪存制造工艺,20年来,闪存的单位成本下降了5万倍。接近物理极限,10nm制造工艺。因为容量的增加是通过容量密度加大,所以3D NAND对于控制器有更高的要求,宝存实现完善的容错数据保护机制,增强了纠错能力ECC,在擦除出错处理和坏块处理及数据保护方面能力。

  说了这么多,总之,面向企业级市场,宝存已经将闪存的技术应用,做的越发坚实。正如阳学仕所言,根据企业级市场的需求,从最高性能考虑,比如PCIE的极致的性能表现力,定制化大容量等特点,到NVMe SSD以及新推出的SATA3 SSD提供一致化的标准化的性能,同时可以为用户提供灵活的容量。宝存科技今天推出SATA SSD就是不断丰富自己的企业级SSD产品

 
 
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